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Vishay新型超薄SMP封装TMBS®整流器提高功率密度和能效

Vishay新型超薄SMP封装TMBS®整流器提高功率密度和能效

【行业动态】 2 A和3 A器件反向电压从45 V到200 V,正向压降低至0.36 V 宾夕法尼亚、MALVERN2020年1月22日日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE..

2 A和3 A器件反向电压从45 V到200 V,正向压降低至0.36 V

宾夕法尼亚、MALVERN2020年1月22日日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号:VSH) 宣布,推出16款采用eSMP®系列超薄SMP(DO-220AA)封装的新型2 A和3 A器件,扩充其表面贴装TMBS®Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor整流器反向电压覆盖从45 V到200 V范围,3 A电流等级达到业内SMP封装器件最高水平,显著提高功率密度。

日前发布的整流器2 A和3A器件正向压降分别为0.36 V和0.37 V,可降低商用和工业用高频逆变器、DC/DC转换器、续流二极管和极性保护二极管功耗,提高效率。器件还提供适于汽车应用的AEC-Q101认证版产品。

新型整流器最高工作结温达+175 °C,MSL潮湿敏感度等级达到J-STD-020标准1级,LF最高峰值为+260 °C。器件符合RoHS标准,无卤素。

器件规格表:

器件型号

IF(AV) (A)

VRRM (V)

IFSM (A)

IF和TJ条件下VF

最大TJ (°C)

VF (V)

IF (A)

TA (°C)

V2PL45L

2

45

50

0.36

2

125

150

V3PL45

3

45

80

0.37

3

125

150

V2P6X

2

60

50

0.51

2

125

175

V2P6L

2

60

50

0.45

2

125

150

V2PM6L

2

60

50

0.48

2

125

175

V3P6

3

60

60

0.48

3

125

150

V3P6L

3

60

80

0.44

3

125

150

V3PM6

3

60

80

0.47

3

125

175

V2PM10L

2

100

50

0.58

2

125

175

V3PM10

3

100

80

0.58

3

125

175

V2PM12L

2

120

50

0.6

2

125

175

V3PM12

3

120

80

0.61

3

125

175

V2PM15L

2

150

50

0.64

2

125

175

V3PM15

3

150

80

0.64

3

125

175

V2P22L

2

200

50

0.68

2

125

175

V3P22

3

200

60

0.7

3

125

175

新型TMBS整流器现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为八周。

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